Intel3工艺官方深度揭秘：号称性能飙升18％！

Intel3工艺的主要特性

Intel3工艺是Intel公司的一款先进制程工艺，它的官方声称是性能飙升18%。以下是关于Intel3工艺的一些关键信息：

1.性能提升

Intel3工艺相较于Intel4工艺，在同等功耗和晶体管密度下，可以带来最多18%的性能提升。这是因为Intel3工艺在设计上进行了改进，包括改进设计的晶体管、低通孔电阻供电电路以及与客户的联合优化等。此外，Intel3工艺的应用更多EUV光刻，也在更多生产工序中使用了EUV。

2.晶体管尺寸缩小

Intel3相比于Intel4逻辑缩微缩小了约10%，这意味着晶体管尺寸有所减小，这有助于提高单个芯片内的晶体管数量，从而提高性能。

3.能效提升

Intel3工艺每瓦能效提高了17%，这对于数据中心级别的产品来说非常重要，因为这些产品往往需要处理大量的计算任务，并且功耗较高。

4.支持不同电压

Intel3工艺支持1.2V电压的超高性能应用，并且首次对外代工开放。此外，它还支持0.6V以下低电压和1.3V以上高电压，以实现最大负载时的最优性能。

5.多种金属堆栈层数选择

Intel3工艺中，客户可以根据不同需求，在三种不同的金属堆栈层数中选择：最低成本为14层，性能和成本最均衡为18层，最高性能为21层。

6.探索新技术

Intel3工艺不仅代表了现有技术的提升，也是向更先进技术过渡的一步。例如，Intel3-T将引入采用硅通孔(TSV)技术，并针对3D堆叠进行优化。

结论

综上所述，Intel3工艺是一款具有高性能和高能效特点的先进制程工艺。它通过晶体管尺寸的缩小、能效的提升以及对不同电压的支持，实现了性能的显著提升。同时，它还提供了多种金属堆栈层数的选择，以满足不同客户的需求。随着技术的不断发展，我们有理由相信Intel3工艺将在未来的数据中心和高性能计算领域发挥重要作用。

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